迪恩光电成功开发超低吸收系数大尺寸ZnGeP2单晶(代号:YS-ZGP)

发布时间:2021-02-25 17:37:47    浏览次数:659

                                                                                               2090nm吸收系数< 0.02cm-1

                                                                           新开发的ZGP晶体(代号:YS-ZGP)表现出比初始ZGP晶体更好的性能

独特的大口径ZGP单晶生长十分困难,在这个过程中我们攻克了许多技术壁垒,以获得更大的器件尺寸和更好的材料性能。一般来说,ZGP晶体在2090nm的吸收系数为< 0.05cm-1。凭借我们的独特生长加工工艺,我们的YS-ZGP能够在2090nm实现吸收系数< 0.02cm-1。C-ZGP(传统ZGP晶体)采用“垂直生长法”,YS-ZGP(新工艺ZGP晶体)采用“水平生长法”,水平生长这项新技术使我们能够获得具有优异性能的超大尺寸器件。YS-ZGP表现出更好的均匀性和转换效率。 该相位匹配角(54.7°)的标准膜系为AR/AR @ 2090nm+3-5um。尺寸和膜系均接受定制。