Cr²+:ZnSe晶体

Cr²+:ZnSe晶体是1.5~2.1 μm波段***为成熟的可饱和吸收体，在以Tm3+、Ho3+、Er+等离子掺杂的晶体为增益介质的激光器中得到了较为广泛地应用。因Cr²⁺:ZnSe晶体在中红外波段具有很宽的吸收和发射带宽，结合适中的荧光寿命，非常适合于超快脉冲激光运转和中红外宽调谐激光输出。主要应用于光谱学、遥感探测、红外光电对抗、自由空间、卫星通信及生物医疗等领域。

Cr²+:ZnSe基本特征：
• 宽发射带（1.9～3.3μm）
• 宽吸收带
• 大增益截面（σ发射〜9 × 10-19 cm2）
• 无激发态吸收
• 高导热性比YAG好（ZnSe为18w/m·K，YAG为13w/m·K）
• 高IR（0.6-20μm）透明度

Cr:ZnSe晶体典型应用：

-作为紧凑型中红外激光系统中的增益材料；

-作为1.5-2.1μm激光器的被动调Q开关；

-中红外（MIR）光参量振荡器（OPO）泵浦源；

-光谱学

-红外（IR）导弹对策系统（舰船和飞机）